| 铋锑碲基本信息 | |
| 分子式 | BiSbTe |
| 纯度 | 4N |
| CAS号 | 31501-07-2 |
| 摩尔质量 | ~634.3 g/mol |
| 密度 | ~6.8 g/cm³ |
| 熔点 | ~580 ℃ |
| 沸点 | 高温分解，无明确沸点 |
| 溶解性（水） | 不溶于水 |
1、核心光学特性：在近红外 - 太赫兹波段具有独特的拓扑表面态，实现无耗散光传输、超高非线性光学效应；同时具备宽波段高吸收系数、可调控的带隙结构，通过 Bi/Sb 比例精准调控光学响应，覆盖红外 - 太赫兹全波段应用需求。
2、产品形态：定制化合金靶材，适配磁控溅射、分子束外延（MBE）、脉冲激光沉积（PLD）等高端镀膜工艺，可实现大面积、高均匀性二维 / 三维薄膜沉积，与多种光学基底兼容。
3、工艺优势：薄膜可实现拓扑表面态的精准调控，兼具光学、电学、热电多重性能，是下一代拓扑光电集成器件的核心材料。
用于制备全光隔离器、光隔离器，利用拓扑绝缘体的非互易光学特性，实现无磁光隔离，解决硅基光芯片的光反射干扰问题，应用于 5G/6G 光通信、硅光集成系统。
用于拓扑超材料、超表面的功能层，实现对光的任意调控，应用于超透镜、光学计算、量子光学等前沿领域。
用于制备高性能红外探测器、太赫兹探测器，BiSbTe 薄膜在红外 - 太赫兹波段具有超高灵敏度和超快响应速度，应用于红外成像、太赫兹安检、天文观测等高端光学系统。
用于红外光学调制器，实现红外光信号的高速调制，适配红外激光、红外传感等应用场景。
用于制备高性能非线性光学薄膜，实现高灵敏度二次谐波产生（SHG）、光学参量放大，应用于超快激光、激光雷达等光学系统，非线性系数远高于传统非线性材料。
用于光纤激光器的饱和吸收体，实现锁模脉冲输出，应用于超短脉冲光纤激光器。
用于制备二维 BiSbTe 拓扑绝缘体薄膜，应用于量子光子探测器、量子密钥分发等量子光学领域，实现单光子级别的高灵敏度探测。
用于光电器件的电极与互连层，兼具低电阻率与高光学透过性，适配硅基光电集成工艺。
