| 二硫化钼基本信息 | |
| 分子式 | MoS₂ |
| 纯度 | 4N |
| CAS号 | 1317-33-5 |
| 摩尔质量 | 160.07 g/mol |
| 密度 | 5.06 g/cm³ |
| 熔点 | 1185 ℃ |
| 沸点 | 高温分解，无明确沸点 |
| 溶解性（水） | 不溶于水 |
1、核心光学特性：块体为间接带隙（~1.2 eV），单层为直接带隙（~1.8 eV），覆盖可见光 - 近红外波段高吸收系数、超高非线性光学效应；可通过层数、应力、掺杂精准调控带隙与光学响应，实现从间接带隙到直接带隙的连续调控。
2、产品形态：定制化陶瓷靶材 / 粉末烧结靶材，适配磁控溅射、脉冲激光沉积（PLD）、分子束外延（MBE）等高端镀膜工艺，可实现大面积、高均匀性单层 / 少层 MoS₂薄膜沉积，与多种光学基底兼容。
3、工艺优势：薄膜可实现原子级厚度调控，兼具光学、电学、力学多重性能，是下一代二维光电集成器件的核心材料。
用于制备高性能可见光 - 近红外光电探测器，单层 MoS₂具备超高灵敏度、超快响应速度，应用于图像传感器、光学传感、空间光学探测等领域。
用于柔性光电器件，凭借优异的力学柔韧性，适配柔性显示、可穿戴光学设备等场景。
用于制备高性能饱和吸收体，应用于锁模光纤激光器、超快固体激光器，实现超短脉冲输出，非线性光学性能远优于传统半导体材料。
用于非线性光学薄膜，实现二次谐波产生（SHG）、光学参量放大，应用于超快激光、激光雷达等光学系统。
用于制备硅基光调制器、光开关，利用 MoS₂的高载流子迁移率与光学响应，实现光信号的高速调制，适配 5G/6G 光通信系统。
用于光波导、光子集成电路（PIC）的功能层，实现光信号的传输与调控，解决硅基光芯片的效率瓶颈。
用于制备宽波段光学减反膜、抗反射涂层，应用于光学镜头、太阳能电池、显示面板等，提升光学器件的光透过率与转换效率。
用于红外光学器件的防护涂层，利用其高化学稳定性，提升红外镜头、红外探测器的抗腐蚀、抗磨损性能。
用于制备单光子源、量子光子探测器，单层 MoS₂的直接带隙特性可实现单光子级别的光发射与探测，应用于量子计算、量子密钥分发等前沿领域。
用于超材料、超表面的功能层，实现对光的任意调控，应用于超透镜、光学计算、拓扑光子学等前沿方向。
